甲烷在硅底靶上吸附的计算机模拟研究

【摘要】：采用Tersoff和Brenner作用势,用分子动力学模拟方法,研究了甲烷入射到硅(001)-(2×1)表面的动力学过程.通过定点入射模拟计算出6个代表点的吸附阈值,分析了多种吸附结构.计算了随机入射的吸附概率.讨论了入射位置以及甲烷荷能大小对吸附结构的影响. 【作者单位】： 内蒙古民族大学物理与电子信息学院;
【关键词】： 甲烷 硅底靶 吸附 类金刚石
【基金】：内蒙古民族大学资助项目(MDX2008028) 内蒙古民族大学创新团队资助项目
【分类号】：O561;TP391.9
【正文快照】： 1引言金刚石具有优良的化学与物理性能,如耐腐蚀化学稳定性好,高硬度、低摩擦系数、耐磨、热导率高、绝缘好、透光波段宽,其禁带宽度为5.45eV,大于所有已知的半导体材料,以及良好的生物相容性等,能广泛应用于机械、电子、化学、军事、航空航天、生物医学等领域,但天然金刚石少

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