非平面芯片及碲化太阳能电池的研发与分析

【摘要】：介绍了专利申请方案"非平面芯片及碲化太阳能电池"(200610021065.X)的研发过程,并对其技术特点进行了分析。该专利同步实施"非平面芯片"和"选用碲化物制作电池芯片薄膜"两项创新举措,可将普通硅晶太阳能电池的性价比提高一倍,为光伏产品的研究提供一定参考。 【作者单位】： 成都加佳好科技有限公司;
【关键词】： 太阳能 电池技术 非平面芯片 碲化物 光电能量 转换率 创新举措 性价比 平面结构 研发过程
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1原有太阳能电池技术不足(1)硅晶电池主要是受硅(Si)材料本身两个固有特性的局限:一是硅对红外波段辐射能的透过率很高,几乎不能利用,而该波段辐射能占入射阳光总辐射能的43%;二是硅晶材料将光能转换为电能的比例比转换成热能的比例还低,且温度每升高1℃,输出功率衰减0·34%~

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