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太阳能电池用锗单晶(GB/T 26072-2010)
来源:新能源网
时间:2015-03-09 16:05:28
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太阳能电池用锗单晶(GB/T 26072-2010)1范围本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单
1范围
本标准规定了太阳能电池用锗单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。
本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗单晶滚圆棒。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1555半导体单晶晶向测定方法
GB/T 4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 5252锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 14264半导体材料术语
GB/T 14844半导体材料牌号表示方法
GB/T 26074锗单晶电阻率直流四探针测量方法
3术语
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4要求
4.1分类
锗单晶棒按导电类型分为n型和P型两种类型。
4.2牌号
锗单晶棒的牌号表示按GB/T 14844的规定。
4.3外形尺寸
锗单晶棒的外形尺寸应符合表1的规定,如客户对外形尺寸有特殊要求,供需双方另行商定。
4.4电学性能
锗单晶棒的电学性能应符合表2规定。
4.5晶向及偏离度
锗单晶棒的晶向取向为:<100>向<111>偏α±0.5;<100>向<110>偏β±0.5。
4.6外观质量
锗单晶棒滚圆后的棒体表面及棒的两个截面上不允许存在超过2m㎡的崩痕或崩边,棒体表面无星形结构、六角网络、孔洞和裂纹。
4.7位错密度和分布要求
4.7.1位错密度
不同规格的锗单晶按位错密度分为两个级别,用A级、B级表示,单晶棒的位错密度应符合表3的规定。
4.7.2分布要求
在单晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘内不允许出现超过1mm长的位错排或面积超过0.5m㎡的位错团。如在晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘外出现上述位错排或位错团,则不允许位错排或位错团是向晶棒轴心方向延伸的。
5试验方法
5.1导电类型检测
按照GB/T 1550或者GB/T 4326规定的测量方法进行测量。
5.2外形尺寸检测
用精度为0.02mm的游标卡尺进行测量。
5.3外观质量
用目视法进行观察和测量。
5.4电阻率检测
按照GB/T 4326或者GB/T 26074规定的测量方法进行测量。
5.5载流子浓度检测
按照GB/T 4326规定的测量方法进行测量。
5.6单晶晶向及晶向偏离度检测
按照GB/T 1555规定的测量方法进行测量。
5.7位错密度检测
按照GB/T 5252规定的测量方法进行测量。
6检验规则
6.1检验和验收
6.1.1产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准(或订货合同)的规定,并填写产品质量证明书。
6.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验,若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决。
6.2组批
每根锗单晶棒作为一个组批。
6.3检验项目及取样
首先对每个组批进行导电类型、外形尺寸及外观质量的检验,然后在合格的每根单晶棒的头尾部各切一片(晶片)进行电阻率、载流子浓度、晶向及晶向偏离度的检验,从尾部切一片进行位错密度和分布的检验,检验项目、取样及判定依据见表4。
6.4检验结果的判定
若以上检验项目中有任何一项检验不合格,则判定该批产品不合格。
7标志、包装、运输和贮存
7.1包装、标志
7.1.1锗单晶棒用聚苯烯(泡沫)逐棒包装,然后将经过包装的晶棒装人包装箱内,并装满填充物,防止晶棒松动。
7.1.2包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等标识,并标明:
a)供方名称、商标;
b)产品名称、牌号;
c)产品批号、单晶根数及重量(毛重/净重)。
7.2运输、贮存
7.2.1产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震防潮措施。
7.2.2产品应贮存在清洁、干燥的环境中。
7.2.3每批产品应有质量证明书,写明:
a)供方名称、地址、电话、传真;
b)产品名称及规格、牌号;
c)产品批号;
d)产品净重及单晶根数;
e)各项参数检验结果和检验部门的印记;
f)本标准编号;
g)出厂日期。
8订货单内容
本标准所列锗单晶棒的订货单内容应包括下列内容:
a)产品名称;
b)牌号;
c)锭形、尺寸、杂质含量等特殊要求;
d)净重和件数;
e)本标准编号。