英飞凌推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管

“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%，譬如在20 kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器的前端升压级中。

结温为150°C时，典型正向电压仅为1.7V，这比上一代产品降低了30%。这个值也是当前市场上的1200V碳化硅二极管中最低的正向电压值。因此，这款新的碳化硅二极管特别适用于以相对较高负荷工作的应用，如不间断电源系统。此外，即使工作在较低开关频率下，也能提高系统效率。

取决于二极管电流等级，它可实现最高14倍于标称电流的浪涌电流承受能力，这保证了二极管在应用发生浪涌电流时实现可靠运行。这样便无需使用旁路二极管，从而降低了复杂度，减少了系统成本。

英飞凌IGBT和碳化硅分立功率器件营销总监Roland Stele表示：“英飞凌致力于提供有助于客户最大限度提高其设计效率的产品，新的第五代碳化硅二极管实现了这一目标。由于降低了二极管损耗，该产品适用于范围更广的开关频率，同时，它具备更强的浪涌电流承受能力，可实现更高可靠性。最新一代英飞凌碳化硅肖特基二极管是朝着充分挖掘碳化硅材料潜力迈出的一大步。”

在升压拓扑和功率因素校正（PFC）升压拓扑中结合新的1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管和英飞凌出类拔萃的1200V Highspeed3 IGBT能够全面提升系统性能。相比于采用传统硅二极管的解决方案，通过降低导通损耗（这允许使用更小尺寸的散热片或提高效率）和降低EMI（更小巧的更高性价比的EMI滤波器），不仅降低了二极管损耗，而且改善了Highspeed3 IGBT的性能。

供货