Vishay新型降压控制器IC面向电池供电应用..

    Vishay Intertechnology日前推出两款可与外部MOSFET共同运行的新型同步降压控制器IC。高压SiP12201及低压SiP12202控制器均可在电池供电系统、电信及工业终端系统等广泛应用中实现灵活、高效的电压转换，其同步降压架构可实现以93%的效率进行电压转换，从而延长可电池使用时间，同时减少封闭的现场安装或机架安装系统中的热量，以及降低对冷却系统的需求。

    SiP12201的输入电压范围介于4.2V～26V，而SiP12202的介于2.7V～5.5V。SiP12201与SiP12202 的可调输出电压范围分别介于0.6V～20V和0.6V～5.5V。在低端达到0.6V的能力对于工作频率为500kHz的器件而言是一种独特功能，这一能力可确保SiP12201及SiP12202在未来十年中能够满足对预测可降至0.6V的更低电压的需求。

    高压SiP12201同步降压控制器主要面向工业控制、无线及线缆调制解调器、机顶盒、液晶电视、电信电源与服务器以及负载点(POL)模块，并可为各种终端产品中的微处理器、ASIC、FPGA及DSP提供稳压电源。

    SiP12201能够驱动同步转换器中高端及低端的n通道MOSFET，并且通过允许使用两个低成本n通道器件，而不是一个n通道和一个p通道器件，SiP12201有助于降低整体设计成本。SiP12201还具有工作频率为500kHz的优点，这一优点可实现在转换器设计中使用体积更小的无源元件。

    低压SiP12202同步降压控制器主要面向诸如手机等电池供电产品以及笔记本电脑与台式电脑，以及使用负载点或分布式电源转换器的其它系统中的电源转换。为确保在低输入电压情况下实现持续的高效率，可将该控制器设为100%占空比。在电池电量不足的情况下，该器件还能够通过转向100%占空比作为低压降(LDO)稳压器运行。

    SiP12202可在低端驱动n通道MOSFET，以及在高端驱动p通道MOSFET。在高端使用p通道MOSFET可无需使用外部充电泵，同时还可简化高端栅极驱动。高达500kHz的高频率运行可允许使用更小的无源元件，以缩减终端系统的体积。

    由于Vishay提供了兼容的控制器与MOSFET器件，因此设计人员可获得面向高压及低压降压应用的全面解决方案。SiP12201是为与Vishay Si7114DN n通道功率MOSFET配合使用而进行了优化，而SiP12202是为与Si7106DN p通道及Si7110DN n通道功率MOSFET配合使用而进行了优化。

    这两种新型降压控制器均包含补偿/关断引脚的组合，以及其它保护功能，例如欠压锁定、电源安全输出、输出电流限制及热关断。内部软启动功能可在启动时防止出现电压峰值。这两款控制器均采用无铅(Pb)MLP33-10封装，并且工作范围均规定为-40℃～+85℃。目前，这两款新型降压控制器IC的样品和量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为6～7周。

  来源:小草