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国芯思辰|混合式碳化硅分立器件用于便携储能,效率提升0.2%-0.4%

来源:新能源网
时间:2023-03-27 08:54:49
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国芯思辰|混合式碳化硅分立器件用于便携储能,效率提升0.2%-0.4%【国芯思辰|混合式碳化硅分立器件用于便携储能,效率提升0.2%-0.4%】:在低碳新时代电力市场的需求下,便携

【国芯思辰|混合式碳化硅分立器件用于便携储能,效率提升0.2%-0.4%】:在低碳新时代电力市场的需求下,便携式储能绿色无污染、大容量、大功率,在储能市场需求持续呈现上升趋势。随着便携储能电源应用领域不断增加,需要提升电源系统功率密度、使用更高的主开关频率。基本半导体推出了BGH75N65HF1混合碳化硅分立器件,包含650V与1200V,该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT,大幅降低了IGBT的开关损耗,特别适用于对功率密度提升有需求。然而改成混管后效率会提升多少,答案是0.2-0.4%,这是在客户的buck-boost中实战得到的数据。